A flash tárolás fejlesztésével történő logikus fejlődés nyomán a Samsung nemrégiben jelentette be, hogy elkezdi tömegesen 3D "függőleges NAND" (V-NAND) flash chipek előállítását. Noha a Samsungot hatalmas fogyasztói elektronikai társaságként ismerjük, a koreai gyártónak jövedelmező üzleti tevékenysége van a belső alkatrészek - például a processzorok, a flash memória és a kijelzők - gyártása számos különféle készülékgyártó számára.
Korábban már beszéltünk arról, hogy a Samsung (és más gyártók) a kisebb technológiák felé haladtak, hogy egy sűrűbb tárolóhelyet ugyanazon a fizikai területen felszereljenek egy 10 nm-es gyártási folyamatra való áttéréssel, de mivel a név arra készteti Önt ez az új 3D NAND rendszer egy lépéssel tovább halad. Ahelyett, hogy a hagyományos "sík" (lapos) szerkezethez ragaszkodna, a Samsung éppen olyan chipeket épít, amelyek függőlegesen rakják össze az összetevőket - akár 24 sejtréteg magasra.
Csakúgy, mint egy kisebb architektúrára való áttéréshez, a V-NAND-hez történő mozgatás is rejlő előnyökkel jár mind a megbízhatóság, mind a kapott chipek sebessége szempontjából. A Samsung szerint ezek az első V-NAND chipek 2-10-szer megbízhatóbbak, és írási teljesítményük kétszerese a meglévő 10 nm-es flash memóriához viszonyítva.
A tömeggyártás most kezdődik, a Samsung azt várja el, hogy az új chipek a közeljövőben fogyasztói elektronikát képezzenek a fogyasztói osztályú számítógépes SSD-ktől a beágyazott flash tárolóig.
Forrás: Samsung (BusinessWire)
